Fondé en 1987, S.T Microelectronics est aujourd'hui le premier fabricant européen de semi-conducteurs avec plus de 51 000 collaborateurs et est présent dans 36 pays. Ses composants sont au cœur de tous les systèmes électroniques de télécommunication, informatique, automobile, grand public, cartes à puces…

STAGE INGENIEUR MATERIAUX

Référence: 133508
Pour postuler : offre1165668.2483@st.contactrh.com

Type de contrat: Stage
Lieu: 37000 Tours, France
Niveau d'études : Bac + 5
Années d'expérience: inférieure à 6 mois
Durée de contrat : 6 mois

Poste:

Au sein de l’équipe Recherche et développement du site de Tours, vous aurez à traiter le sujet suivant :"Gravure par I.B.E de matériaux à produits de réaction peu volatils en gravure sèche traditionnelle : Application au B.S.T / P.t et à l'élimination des fences".

Contexte : Ce sujet de stage vient à la suite d'une étude qui nous a permis de nous familiariser avec la technique I.B.E au travers de son évaluation sur différents matériaux dont les matériaux High-K (ex: le B.S.T).

Ce stage se focalisera davantage sur la compréhension et l'élimination des re-dépôts (fences) lors de la gravure physique du B.S.T / P.t pour des C.D critiques allant jusqu’au micron.

Ce sujet est de grande importance pour S.T Microelectronics car il débouchera sur la mise en place d'abaques et de règles sur ces phénomènes de gravure et fences qui nous seront très utiles pour les prochaines générations de produits.
Vous devrez assimiler le contenu des études précédentes afin de débuter le sujet sur une bonne base. Vous aurez pour objectif principal de comprendre les mécanismes de gravure/re-depôt et de proposer des points de procédés viables sur chacune des structures étudiées.

Déroulement du stage

1- Assimilation du contenu des deux stages précédents
2- Prise en main des équipements de gravure : I.B.E et plasma (stripper)
3- Prise en main des outils de caractérisations des gravures : End Point Detection, Microscope optique et électronique à balayage, Ellipsomètre et Profilomètre.
4- Evaluation des profils de gravure (largeur/élargissement, pente, rugosité,) pour différentes structures (Dimension (C.D), épaisseurs et Facteur d Aspect (FA) variables).
5- Fournir une explication aux mécanismes de création des fences (en s’aidant d'une étude bibliographique en continue : lecture d'article scientifiques en anglais) et mettre en place des abaques délimitant précisément les domaines de leur présence (en fonction des C.D, épaisseur couche et F.A).
6- Pour les domaines (épaisseur de couche, C.D, F.A) pour lesquels les fences semblent inéluctables, vous devrez proposer des solutions mettant en jeux une étape additionnelle d’éliminations de ces fences (ou autre solution).

Objectif final : obtenir des points de procédé satisfaisants pour toutes les structures étudiées.

Profil recherché :

De formation Bac +5 en Matériaux, vous possédez les compétences suivantes :
- Physique des plasmas et/ou matériaux
- Présentation orale
- Technique d’écriture
- Initiative/Autonomie
- Esprit d’équipe/Coopération
- Adaptabilité/Flexibilité
- Anglais oral et écrit

Pour postuler : offre1165668.2483@st.contactrh.com

STAGE PROCESS TECHNOLOGIE DEVELOPPEMENT

Référence : 133508
Pour postuler : offre1165652.2483@st.contactrh.com

Type de contrat : Stage
Lieu: 37000 Tours, France
Niveau d'études: Bac +5
Années d'expérience: inférieure à 6 mois
Durée de contrat : 6 mois

Poste

Au sein de l'équipe Recherche et Développement, du site de TOURS, l'objectif de ce stage, d'une durée de 6 mois, est de mettre au point des couches minces SiON pouvant être utilisées dans l’élaboration des produits fabriqués à S.T Microelectronics.

Ces couches minces peuvent être utilisées comme couches de passivation non stressées ainsi que dans le cadre de fabrication de membranes.
Vous serez amené à mettre au point les moyens de caractérisations correspondants.
En fonction de l'avancée du projet, vous pourrez adaptez la recette mise au point dans la P.E.C.V.D B.T à la P.E.C.V.D H.T.

Profil recherché :

De formation Bac +5, dernière année de Master ou école '’ingénieur, vous êtes spécialité en Physique des matériaux ou micro/nano électronique
- Adaptabilité/flexibilité
- Créativité/innovation
- Présentation orale
- Physique - Chimie
- Anglais oral et écrit

Pour postuler : offre1165652.2483@st.contactrh.com

STAGE DESIGN A.C Switch

Référence: 133080
Pour postuler : offre1165723.2483@st.contactrh.com

Type de contrat: Stage
Lieu: 37000 Tours, France
Niveau d'études: Bac +5
Années d'expérience: inférieure à 6 mois
Durée de contrat : 6 mois

Poste

Au sein de l'équipe Design New Products, vous aurez pour sujet le développement de nouvelles architectures A.C Switch de puissance (caractérisation et modélisation).

Déroulement du stage :

- bibliographie
- prise en main des structures (et finalisation des échantillons)
- prise en main des outils de caractérisation
- caractérisation
- exploitation des résultats et modélisation

Profil recherché :

De formation Bac +5 en Matériaux, vous possédez des compétences dans les domaines suivants :
- Microélectronique
- Matériaux
- Electronique
- Physique du semi-conducteur
- Anglais oral et écrit

Pour postuler : offre1165723.2483@st.contactrh.com